IRF9Z30

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Información de Producto

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Modelo:
IRF9Z30

Marca:
SYSCOM

Especificaciones:

 

     
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

    

FET Type

P-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50 V

Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

900 pF @ 25 V

FET Feature

–

Power Dissipation (Max)

74W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-220AB

Package / Case

TO-220-3

Base Product Number

IRF9Z30